东北光学所，接到了一个光路系统的研制要求，要求的发起方，来自十二机部，至于是做什么用的，并没有说明。
要求非常贴心的分为了两级，实现过程也就分成了两步。
第一步，是将波长355nm的激光束扩散为直径160mm的平行光束。
第二步，是将这束扩散后的平行光束，将光路中的玻璃板上图像重新缩微投影为一个20mm的光斑。要求缩微投影后，图形变形不超过5微米，越小越好。
这个要求说简单那不简单，说麻烦嘛，好像也不是非常麻烦，正好卡在好像努力一下就能够的着的程度。
对于搞技术的人来说，这种要求是最舒服的，既不会没有挑战性和成就感，又不会要求太高难以实现。
而且对方明确说了，分两步实施，第一步做出来就先提交第一步，第一步尽量快，第二步可以慢慢做，但是质量一定要稳。
还能分步提交成果，这就更舒服了。
甚至对方还非常贴心的，送了一台激光器过来，正是355nm激光光源。
这个不是红宝石激光器，本来是高振东为激光测距准备的yag（钇铝石榴石）激光器，这东西功率比较容易做大，而且波长根据掺杂可调。
这正是高振东和1274厂集成电路工艺研究中的一部分，这个东西一看就知道，用于光刻机的光路系统。
把整个光路系统分成两步，正是高振东的主意。
第一步，相对简单一些，可以用于接触式或者接近式光刻机，这两个都是直接投影的，模版的分辨率多少，实际分辨率大约就是多少。
而第二步困难一些，等东北光学所慢慢搞就行，这是预想用于投影式光刻机的，搞个一年两年三年的都不是什么问题，搞不出来，接近式光刻机也够用了，搞出来了，那就纯赚了。
与此同时，某化学研究所，搞有机材料的同志也接到了十二机部关于光敏材料的研究要求，研究要求明确指明了，光敏材料可以是光聚合型、光分解型、光交联型中的一种，用于激光感光成像，工作光波长355nm。
十二机部还送来了一台激光器，以及简单的激光扩散配件，用作试验过程中的光源。
说实话，研究所的同志，还是第一次看到要求这么明确，连技术路线都给说得明明白白的要求文件。
甚至光交联型这种，他们也是看了要求文件里面的解释才搞清楚是个怎么回事儿。
要是所有的需求方都像这一家这样就好了，化学研究所的同志美滋滋的想，还能学东西！
其实这是高振东没办法，他不知道现在到底哪一种能搞成，总之65年这东西是有的，干脆把几种常见的光刻胶的路线都给写了上去，你做出来哪种算哪种，无非就是正胶负胶的区别，都能用。
一个技术刚兴起的时候，自由度是最大的，不用考虑太细节的东西，而且配套技术不用考虑技术路线的差别带来的性能差异，因为要求还没高到那份上，大概就是能用就行，整出来就算本事。
像日后光刻技术那一大堆高级技术在这个年代都不用考虑，根本用不上，也没条件用上。
搞个10微米~100微米的光刻，就想着把浸润光刻、多重曝光、euv光源这些弄上来无疑是吃饱了撑着了。
且不说这些美滋滋的配套厂所，高振东自己，正在和厂里的一堆八级工研究工件台的事情，虽然不搞多重曝光，但是套刻还是需要的，工件台的定位精度还是要考虑。
套刻，就是把多个图形分多次刻到同一工件上，形成一个完整的图形。
如果只是刻一次，那倒不需要管套刻精度，只要保证光的投射范围都在晶圆上以及光投影精度即可，可是在集成电路工艺里，是要分很多次光刻，来形成不同结构，而且这些结构之间又有电路连接，所以套刻精度还是要保证的。
至于双工件台，就先扔一边了，一个工件台还没搞利索呢，想那么多是给自己找麻烦。
“高总，你这个东西的定位精度要半丝？”一群老八级工有点嘬牙。
1丝，从机加工的角度，等于10微米，半丝，5微米。
高振东点点头：“嗯，先不考虑移动定位精度，就考虑两个工件固定时定位的相对精度就可以。”
如果微缩投影还没搞通的话，那移动定位精度就意义不大，因为不需要在晶圆上一个芯片一个芯片的刻，而是一次性投影出整个晶圆的图像，这种情况下，哪怕套刻，主要考虑的也就是模版、晶圆固定时的相对位置精度了。