第319章 碲汞镉,启动(2 / 2)

高振东点点头:“我们搞碲汞镉晶体!”

俞允成听见这话,就是一愣,说实话,他不知道碲汞镉是什么东西,这玩意是1959年才被弄出来的,这时候的国内,基本上没人知道这是什么玩意。“碲汞镉?是什么东西?”甚至他都不能确定这玩意是碲汞镉还是碲汞铬。

高振东拿过纸笔,在纸上写下了hgcdte这个不算是化学式的化学式,俞允成这才能确认高振东说的是个什么玩意,但是这东西用来做什么,他还是一无所知。

高振东又继续将碲汞镉材料的特性做了一个介绍,俞允成越听越激动,这是一种非常好的光电半导体材料啊,而且波段覆盖范围还宽,性能结构又稳定,这玩意做起来,那就是真有意思了。

可是他又有一些畏难,这东西完全一无所知啊简直是。

“高主任,这东西好是好,我们能搞嘛?”

高振东笑着点点头:“把握还是有一些的,我已经根据它的结构、性质、组分等等原理,从冶金和晶相等角度出发,摸索了一种制备方法,把握还是有一些的,至少先得到化合物是没问题,至于高质量的晶体,也有一定的把握。”

高振东这话,就说得俞允成汗毛都竖起来了,从原理硬算硬推么?这玩意现在哪儿来的原理啊,你要不说有这东西,我们谁都想不到还有这玩意,红外探测这一块还在和硫化铅较劲呢,你说你都是怎么算的?

不过他知道高振东从来不扯淡,单晶炉这玩意从一开始看来,也不像是能有条件搞出来的样子,可是事实在那儿摆着呢,现在正在天天给1274厂拉原料,同时也在马不停蹄的生产单晶炉,扩大产能。

他想不到的是,高振东不但知道有这东西,他还有这玩意的晶格常数、密度、te-cd-hg三元相图、hgte-cdte伪二元相图、较为准确的分凝系数、热学性质、汞蒸汽压、电学性质等等一系列十年几十年后的数据和成果。

这么说吧,哪怕是hgcdte在1959年的发明者,都没有高振东手上的资料来得齐全和准确。

虽然不知道高振东信心从何而来,但他不是傻子,高主任完全没必要拉着自己开玩笑,他没有多犹豫:“高主任,你说怎么干就怎么干。”

高振东笑了:“行,不过这个东西你要有心理准备,不是一天两天能搞得成的,整个流程非常漫长,一次试验,可能要用几个月乃至半年才能搞完。”

由于汞蒸汽压等等原因,碲汞镉的晶体生长非常困难,不论是体晶体还是薄膜晶体,虽然办法很多,但是都挺麻烦的,晶体生长缓慢不说,而且退火等工艺要求高时间长,动不动就是几十天几十天的搞。

这就让整个试验耗日持久,不是有决心有毅力的人,搞不下来。

对于这个,俞允成无所谓,时间长点就长点,再说了,高主任可能是因为水平高,所以眼界也高。

在俞允成看来,半年做一次试验算什么问题,这种东西别说搞出晶体来了,就是先把化合物搞出来,能证实一些东西就算是重大突破了。

所以说和高主任干事儿,成就虽然高,可是压力也不小啊。

“高主任,这个伱不用担心,寂寞这东西,我们还是耐得住的。”

高振东点点头,其实他们也不用怎么担心,高振东在制备方法的选择上,还是很讲究的,选择的是一种工艺最为简单,对设备要求最低的,而且温控要求低,最重要的是,不需要晶体生长控制机构这个最为麻烦的东西。

偏偏这种办法长出来的晶体,组分均匀,结构很好,可以用于探测器级别元件的生产,而且晶体利用率很高。

当然,这玩意也不是没缺点,晶体直径小,高温缺陷多,杂质未提纯等等,但是这些对于现阶段来说,这些都不是问题。

晶体直径小,我搞线扫描的,弄长一点就好,又不是要一个圆形的平面。

至于为什么高振东很快就选定这个办法,原因也比较简单,这东西是日后几十年旗国量产碲汞镉探测元件,最主要的晶体生长方法。

不得不说,在这方面,旗严选还是值得信赖的。

不过这个时候,还没到把方法都拿出来的时候,现在首要的任务是,把项目批下来。

见俞允成毫不犹豫,高振东也没有拖泥带水,马上把一部分材料交给他:“那就行,你先根据这些材料,写一个研究申请,我们打到部里去,按照预先商定的,我们两个单位联合,三轧厂牵头,1761所落地。至于具体的方法这些就不用写上去了,部里应该是理解的。”

(本章完)

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